安普(成都)抛光材料生产厂家

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遂宁地面亮光剂生产,满足客户的需求

2021-09-15 05:21:01  487次浏览 次浏览
价 格:面议

在硬化地坪施工过程中,到底要不要用抛光液进行抛光处理呢?

地坪抛光液是一种用来提升硬化地坪亮度的产品,也叫做地坪光亮剂、地坪亮光剂、地坪增亮剂、地坪抛光机等等,生产的浓缩型渗透地坪光亮剂,是采用了源自德国的特种高分子材料,具有抗磨损、防刮伤、防刻划的功能。地坪抛光液用途非常广泛,可用于水泥制品、大理石、水磨石、耐磨骨料等为基础表面抛光,它的特点就是渗入地坪,在干燥的过程中和混凝土粘结在一起,干燥后经过物理抛光,能赋予地坪超亮的光泽的同时,还能提高表面的防水、防尘、抗污保洁和抗磨性能。

光液使用方法编辑

包括棘轮扳手、开口扳手,批咀、套筒扳手,六角扳手,螺丝刀等,铅锡合金、锌合金等金属产品经过研磨以后,再使用抛光剂配合振动研磨光饰机,滚桶式研磨光式机进行抛光。

1、抛光剂投放量为(根据不同产品的大小,光饰机的大小和各公司的产品光亮度要求进行适当配置);

2、抛光时间:根据产品的状态来定;

3、抛光完成后用清水清洗一次并且烘干即可。

化学机械抛光

这两个概念主要出半导体加工过程中,初的半导体基片(衬底片)抛光沿用机械抛光、例如氧化镁、氧化锆抛光等,但是得到的晶片表面损伤是极其严重的。直到60年代末,一种新的抛光技术——化学机械抛光技术(CMP Chemical Mechanical Polishing )取代了旧的方法。CMP技术综合了化学和机械抛光的优势:单纯的化学抛光,抛光速率较快,表面光洁度高,损伤低,平整性好,但表面平整度和平行度差,抛光后表面一致性差;单纯的机械抛光表面一致性好,表面平整度高,但表面光洁度差,损伤层深。化学机械抛光可以获得较为平整的表面,又可以得到较高的抛光速率,得到的平整度比其他方法高两个数量级,是能够实现全局平面化的有效方法。

依据机械加工原理、半导体材料工程学、物力化学多相反应多相催化理论、表面工程学、半导体化学基础理论等,对硅单晶片化学机械抛光(CMP)机理、动力学控制过程和影响因素研究标明,化学机械抛光是一个复杂的多相反应,它存在着两个动力学过程:

(1)抛光首先使吸附在抛光布上的抛光液中的氧化剂、催化剂等与衬底片表面的硅原子在表面进行氧化还原的动力学过程。这是化学反应的主体。

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